Содержание: 2017 | 2016 | 2015 | 2014 |2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004 | 2003 | 2002 | 2001

2005, 11

М. Кандоси, С. Мотет, С. Кандоси

Модель проводимости тонкопленочного транзистора из поликристаллического кремния

язык: английский

получена 29.11.2004, опубликована 29.04.2005

Скачать статью (PDF, 360 кб, ZIP), используйте команду браузера "Сохранить объект как..."
Для чтения и распечатки статьи используйте «Adobe Acrobat© Reader» версии 4.0 или выше. Эта программа является бесплатной, ее можно получить на веб-сайте компании Adobe© (http://www.adobe.com/).

АННОТАЦИЯ

Целью статьи является анализ, прогноз и оптимизация тонкопленочного транзистора из поликристаллического кремния. Представлена модель, учитывающая зернистость, поверхность зерен и их границы. Детально рассмотрен механизм проводимости и обмен между электронами и дырками. Полевые эффекты учитываются через влияние скорости носителей заряда, ударную ионизацию и межзонный тоннельный эффект. Результаты моделирования и экспериментальные данные хорошо согласуются. Моделирование позволяет глубже понимать основные механизмы управления работой тонкопленочного транзистора.

16 страниц, 12 иллюстраций

Как сослаться на статью: М. Кандоси, С. Мотет, С. Кандоси. Модель проводимости тонкопленочного транзистора из поликристаллического кремния. Электронный журнал "Техническая акустика", http://ejta.org, 2005, 11.

ЛИТЕРАТУРА

[1] M. Kandouci, S. Mottet. Modelling and optimisation of Si poly TFTs for flat panel displays. Polyse 93 Polycrystalline Semiconductors 3, Physics and Technology, Solid State Phenomena, 1994, vol. 37–38, Scitec Publications, Switzerland, 571–576.
[2] W. Shockley, W. T. Read. Statistics of the recombinations of holes and electrons. Physical Revue b, 1952, vol. 87, N°5, 835–842.
[3] J. E. Viallet, S. Mottet. Transient simulation of heterostructure. Proceedings of Nasecode 4 Conf., Boole Press, 1985, 536–541.
[4] G. Baccarani, M. Rudan, R. Guerrieri, P. Ciampolini. Physical models for numerical device simulation. Process and Device Modeling, 1986, vol. 1, North-Holland, 107–158.
[5] B. Ah Khan, R. Pandya. Activation energy of source-drain current in hydrogenated polysilicon thin film transistors. IEEE Trans. Electron Devices, 1990, vol. 37, N°7, July.
[6] J. S. Blakemore. International series of monographs on semiconductors. Editor Heinz K. Henish, University of Reading, 1962, vol. 3.
[7] J. Hubin, A. V. Shah, E. Sauvin. Effects of dangling bonds on the recombination function in amorphous semiconductors. Philosophical Magazine Letters, 1992, vol. 66, N°3, 115–125.
[8] S. Mottet, J. E. Viallet. Thermionic emission in semiconductors. SISDEP, 1988, vol. 3, Ed. G. Baccarani, M. Rudan, Bologna (Italy), 97–108.
[9] C. Simon, S. Mottet, J. E. Viallet. Autoadaptative Mesh Refinement. SISDEP, 1991, vol. 4, Ed. W. Fichner, D. Aemmer (Hartung-Gorre), 225–233.
[10] J. Oualid, H. Amzil, J. R Crest, J. Dugas, G. Mathian, M. Zehaf, S. Martinuzzi. Propriétés électroniques des joints de grains dans le silicium polycristallin. Journal de Physique, Colloque Cl, supplément au, 1982, Octobre, tome 43, N°10, 313–318.
[11] M. Kandouci. Modélisation des transistors en couches minces au silicium polycristallin petits grains en régimes passant et bloquant. Thèse de l'Université de Rennes 1, N°979, Juin, 1993.
[12] A. Schenk. Rigorous theory and simplified model of the band to band tunneling in silicon. Solid-State Electronics, 1993, vol. 36, N°1, 19–34.
[13] S. M. Sze. Physics of semiconductors devices. Wiley Intersciences Publications, Second Edition, 1981.
[14] M. Kandouci, S. Mottet, C. Kandouci, Z. Kari. Modelling and optimisation of Si Poly TFT’s for flat panel displays. SNS’02, du 15 au 17 décembre 2002, Saida, Algérie.
[15] M. Bonnel, N. Duhamel, M. Kandouci, B. Loisel, Y. Pelous. Si Poly TFT's with low off-current for fiat panel displays. Proceedings of Eurodisplay'93, Strasbourg (F), 1993, Sept, 199–202.
[16] M. Kandouci, C. Kandouci, Z. Kari. Origin of current in TFT’s. ELECOM’04, Saida, Algérie, 2004.


 

Малика Кандоси окончила университет в г.Сиди Бел Аббес, Алжир, в 1986 (степень магистра). В 1993 во Франции защитила диссертацию по физике полупроводников. С 1994 по 1997 работала в Национальном центре телекоммуникаций, Франция. В настоящее время – профессор университета в г.Сиди Бел Аббес, Алжир.

e-mail: maikand04(at)yahoo.fr

 
нет фотографии  

С. Мотет защитил диссертацию в 1977, с 1990 – профессор Национальной высшей школы прикладной науки и технологии, Франция.

 
 

С. Кандоси окончил Университет Науки и Технологии в г. Оран, Алжир в 1985. Диссертацию защитил в 1990 в Политехническом институте г. Гданьска (Польша). С 1990 преподаватель Университета Науки и Технологии в г. Оран, Алжир.